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_★ 動く平面電荷 平面電流 ★_ |
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ベクトル <A> 単位ベクトル <-u> 座標単位ベクトル <x> 内積
* 外積 # |
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【相対論】2.99792458=\c 光速
c=\c*Ten(8)_m/sec {定義} |
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【電磁気.国際単位系】クーロン力定数
ke=1/(4Pi*ε0) ke/c^2=μ0/4Pi=Ten(-7) 【CGS静電単位系】ke=1_無次元 <Bcgs>=<cB> <Acgs>=c*<A> |
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■ 電荷密度 ρ 電荷面密度 σ=ρ*(電流の厚み) 電流の速さ(対光速比) b 電流面密度 J=ρ*c*b @J=J*(電流の厚み)=ρ*c*b*(電流の厚み)=σ*c*b ■ 電荷が静止しているときの電荷面密度 ρ0 電荷面密度 σ0=ρ0*(電流の厚み) 電荷が動いて電流になると、相対論的効果が生じて、 ρ=Γ(b)*ρ0 J=Γ(b)*b*c*ρ0 @J=J*(電流の厚み)=Γ(b)*b*c*ρ0*(電流の厚み)=Γ(b)*b*c*σ0 ★_ |
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◆ 平面電流を、次の2つの電荷の重ね合わせと考える。 @
静止している正電荷による平面電荷 z>0 で <\yu>=-<yu> , <\zu>=<zu> z<0 で <\yu>=<yu> , <\zu>=-<zu> <\yu>は<xu>に対して右回り とする。 電荷はすべてxy平面上にある 負電荷はx軸の負の方向に速さ(対光速比) b 正電荷の電荷面密度
σp0 σe=σe0*Γ(b) σp0=σe=σe0*Γ(b) σp0>σe0 電流面密度 J @J=J*(電流の厚み)=Γ(b)*b*c*σ0 平面電流が作る電磁場 <E>,<B> ■ <E>=<\zu>*2Pi*ke*Γ(b)*σ0=<\zu>*Γ(b)*E0 c*<B>=<b>#<E>=<\yu>*E0*Γ(b)*b=<\yu>*2Pi*(ke/c)*@J ★_ 国際単位系(SI系)で <B>=<\yu>*(μ0/2)*@J {別解} ストークスの定理より、 2*B=(4Pi*ke/c^2)*@J B=(2Pi*ke/c^2)*@J
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◆ 平面電流を、次の2つの電荷の重ね合わせと考える。 @
静止している正電荷による平面電荷 z>0 で <\yu>=-<yu> , <\zu>=<zu> z<0 で <\yu>=<yu> , <\zu>=-<zu> <\yu>は<xu>に対して右回り とする。 電荷はすべてxy平面上にある 負電荷はx軸の負の方向に速さ(対光速比) b 正電荷の電荷面密度
σp0 σe=σe0*Γ(b) σp0=σe=σe0*Γ(b) σp0>σe0 電流面密度 J @J=J*(電流の厚み)=Γ(b)*b*c*σ0 平面電流が作る電磁場 <E>,<B> ■
<E>=<\zu>*2Pi*ke*Γ(b)*σ0=<\zu>*Γ(b)*E0 c*<B>=<b>#<E>=<\yu>*E0*Γ(b)*b=<\yu>*2Pi*(ke/c)*@J ★_ 国際単位系(SI系)で <B>=<\yu>*(μ0/2)*@J {別解} ストークスの定理より、 2*B=(4Pi*ke/c^2)*@J B=(2Pi*ke/c^2)*@J
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◆ 平面電流 xy平面上 電流面密度 <J>=<xu>*δ(z)*Jx それが作る磁場のベクトルポテンシャル <A>=<xu>*Ax ■ Ay=Az=0 Ax 国際単位系(SI系)で Ax=-(μ0/2)*Jx*h*z ■ By=Ax;z-Az;x=-(2Pi*ke/c^2)*Jx*h ★_ |
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