物理 電磁気 2018/7-2013 Yuji.W

☆ 定常直線電流が作る磁場 ☆

◎  _ 00

◇ ベクトル <au> 内積 * 外積 # 10^x=Ten(x) 微分 ;x 時間微分 ' 積分 $
ネイピア数 e e^x=exp(x) i^2=-1 e^(i*x)=exp(i*x)=expi(x)

デカルト座標単位ベクトル <xu>,<yu>,<zu>
円柱座標単位ベクトル <hu>,<au>,<zu> 球座標単位ベクトル <ru>,<au>,<bu>

\3=2.99792458{定義値} 光速 c=\3*Ten(8)_m/sec

\e=1.6021766208 素電荷 qe=\e*Ten(-19)_C 1_eV=\e*Ten(-19)_J
クーロン力定数 ke=1/(4Pi*ε0) ke/c^2=Ten(-7)=μ0/(4Pi)

CGS静電単位系 ke=1 <Bcgs>=c*<B> <Acgs>=c*<A>
I=1_A ⇔ I/c=0.1_esu/cm
 B=1_T ⇔ Bcgs=Ten(4)_G

物理定数 力学の単位 電磁気の単位 00

〓 等速直線運動する直線電荷が作る電磁場 〓 .

◆ x軸上に直線電荷 静止しているときの電荷線密度 λ0

x軸方向に等速直線運動 速度(対光速比) <b.>=<xu>*b.

x系で同様に (x,y,z) tc=0
 <E>=<Ex Ey Ez> <cB>=<cBx cBy cBz>

x軸基準の円柱座標(h,a,x) h=root(x^2+y^2)
 座標単位ベクトル <hu>,<au>,<xu>

■ <E>=<hu>*2*ke*Γ(b.)*λ0/h=<hu>*[1/(2Pi*ε0)]*Γ(b.)*λ0/h

 <cB>=<au>*2*ke*Γ(b.)*b.*λ0/h=<au>*[1/(2Pi*ε0)]*Γ(b.)*b.*λ0/h

〓 定常直線電流が作る磁場 〓 .

◆ 定常直線電流 <I>=<zu>*I を、次のようなモデルとする。

@ 負の電荷を持つ直線電荷 z軸上 等速直線運動 速度(対光速比) <zu>*(-b.)
 電荷線密度 静止しているとき -λe0 動いているとき -λe

A 正の電荷を持つ直線電荷 z軸上 静止している 電荷線密度 λp0

@とAで作る電場 <E> 磁場(光速倍) <cB>

■ λe=Γ(b.)*λe0

ここで λe=λp0 になるとし、電場を作らないとする。 <E>=0

※ 両方とも静止したら、正電荷を帯びるのか? このモデルではそうなってしまう。実際は、電荷が直線上に並んでいないので、矛盾は起きない。

x軸からの距離 h の所で、

 <cB>=<au>*2*ke*Γ(b.)*b.*λ0/h

ここで 電流 I=c*(-b.)*(-λe)=c*b.*Γ(b.)*λe0=c*Γ(b.)*b.*λe0 だから、

 <cB>=<au>*2*(ke/c)*I/h _

 <B>=<au>*2*(ke/c^2)*I/h

国際単位系 I_A=I_C/sec h_m <B>=<au>*2*Ten(-7)*I/h_T

CGS静電単位系 I_esu/sec h_cm c=\3*Ten(10)_cm/sec
 <B>=
<au>*2*(I/c)/h_G

〓 定常直線電流が作る磁場 〓 .

◆ 定常直線電流 <I>=<zu>*I が作る電場 <E> 磁場(光速倍) <cB>

■ <E>=0 <cB>=<au>*2*(ke/c)*I/h <B>=<au>*2*(ke/c^2)*I/h

国際単位系 I_A=I_C/sec h_m <B>=<au>*2*Ten(-7)*I/h_T

CGS静電単位系 I_esu/sec h_cm <Bcgs>=<au>*2*(I/c)/h_G

〓 直線電流が作る磁場 〓 .

◆ 円柱座標(h,a,z) 座標単位ベクトル <hu>,<au>,<zu>

定常直線電流 <I>=<zu>*I 定常直線電流が作る磁場 <B>=<au>*B(h)

■ 定常電流が作る磁場(アンペールの法則) ${<B>*<ds>}[閉曲線]=μ0*I

円[z軸に垂直 中心:z軸 半径 h]を考えて 線分要素 <ds>=<au>*ds

 <B>*<ds>=[<au>*B(h)]*(<au>*ds)=B(h)*ds

 ${<B>*<ds>}[円周]=B(h)*${ds}[円周]=2Pi*h*B(h)

 2Pi*h*B(h)=μ0*I

 B(h)=(μ0/2Pi)*I/h

 <B>=<au>*(μ0/2Pi)*I/h=<au>*2*Ten(-7)*I/h_T _

CGS静電単位系 <Bcgs>=<au>*2*(I/c)/h_G

〓 定常電流が作る磁場 アンペールの法則 〓 ..

◆ 定常電流 I それが作る磁場 <B> 電流密度 <J>

■ ${<B>*<ds>}[閉曲線]=μ0*I

CGS静電単位系 ${<Bcgs>*<ds>}[閉曲線]=(4Pi/c)*I

〓 循環,curl,ストークスの定理 〓 .

■ <curl<au>>のz成分=lim[面積->0]{z軸に対する単位面積当たりの循環}

■ <curl<au>>=<Az;y-Ay;z Ax;z-Az;x Ay;x-Ax;y>

■ $${<curl<au>>*<dS>}[閉曲線内]=${<au>*<ds>}[s:閉曲線]

〓 curl 円柱座標 〓 .

◆ 円柱座標(h,a,z) 座標単位ベクトル <hu>,<au><zu>

任意のベクトル関数 <A(h,a,z)>=<hu>*Ah+<au>*Aa+<zu>*Az

■ <curl<au>>
=<hu>*[(Az;a)/h-Aa;z]+<au>*(Ah;z-Az;h)+<zu>*{[(h*Aa);h]/h-(Ah;a)/h}

■ <curl[<zu>*Az(h)]>=-<au>*(Az;h)

■ <curl[<au>*Aa(h)]>=<zu>*{[(h*Aa);h]/h

〓 直線電流が作る磁場 〓 .

◆ 円柱座標(h,a,z) 座標単位ベクトル <hu>,<au>,<zu>

定常直線電流 <I>=<zu>*I 定常直線電流が作る磁場 <B>=<au>*B(h)

■ 定常電流が作る磁場(アンペールの法則) ${<B>*<ds>}[閉曲線]=μ0*I

円[z軸に垂直 中心:z軸 半径 h]を考えて 線分要素 <ds>=<au>*ds

 <B>*<ds>=[<au>*B(h)]*(<au>*ds)=B(h)*ds

 ${<B>*<ds>}[円周]=B(h)*${ds}[円周]=2Pi*h*B(h)

 2Pi*h*B(h)=μ0*I

 B(h)=(μ0/2Pi)*I/h

 <B>=<au>*(μ0/2Pi)*I/h=<au>*2*Ten(-7)*I/h_T _

CGS静電単位系 <Bcgs>=<au>*2*(I/c)/h_G

〓 直線電流が作る磁場 〓 .

◆ 円柱座標(h,a,z) 座標単位ベクトル <hu>,<au>,<zu>

定常直線電流 <I>=<zu>*I 定常直線電流が作る磁場 <B>

■ <B>=<au>*(μ0/2Pi)*I/h=<au>*2*Ten(-7)*I/h_T

CGS静電単位系 <Bcgs>=<au>*2*(I/c)/h_G

〓 <curl<B>> 〓 .

◆ 円柱座標(h,a,z) 座標単位ベクトル <hu>,<au>,<zu>

定常直線電流 <I>=<zu>*I 電流面密度 <J> 電流断面積 A <I>=A*<J>

定常直線電流が作る磁場 <B>=<au>*(μ0/2Pi)*I/h

■ <curl(<au>/h)>=<zu>*{[(h/h);h]/h=<zu>*(1;h)/h=0

h=0 を除く領域で <curl<B>>=0 _

h=0 を除く領域には電流が流れていないから、<curl<B>>=0

〓 {計算例}直線電流が作る磁場 〓 .

★ 直線電流 電流 1_A 電流からの距離 1_cm

 B=2*Ten(-7)*1/Ten(-2)=2*Ten(-5)_T

 Bcgs=0.2_G

 ▲ 地磁気 B=2*Ten(-5)~7*Ten(-5)_T Bcgs=0.2~0.7_G

★ 直線電流 電圧=50_kV 電力=10_MW 電流 I 電流からの距離=1_m 磁場 B

 I=Ten(7)/[5*Ten(4)]=200_A

 B=2*Ten(-7)*200/1=4*Ten(-5)_T Bcgs=0.4_G

〓 {計算例2}直線電流が作る磁場 〓 .

◎ 「バークレー物理学コース 電磁気」p310 問題6.5 本の答えが違っている

xy平面上に正方形 1辺 d 正方形の角を通りz軸方向に流れる電流

角@(0,0) A(d,0) B(d,d) C(0,d) 電流@-I A0 B-I C2*I

xy平面上の位置 P1(d/2,d/2) P2(d,0)
3本の電流がそこに作る磁場 <Bcgs1>,<Bcgs2>

■【 P1の磁場 】

電流@とBの磁場は打ち消しあって、Cだけの磁場になる

 <Bcgs1>
=-[(<x>+<y>)/root2]*(2/c)*(2*I)/(d/root2)
=-[(<x>+<y>)/root2]*(4*root2/c)*I/d

 Bcgs1=(4*root2/c)*I/d _

■【 P2の磁場 】

3本の電流が作る磁場の大きさと方向を考えると、全部打ち消しあう。磁場は 0

※ バークレーの本では 0 になってない{!2018/6}

〓 電流内の電子の速さの相対論的効果率 〓 .

◎ 電流内の電子の全体としての速さ(ドリフト)は非常に小さい。相対論的効果率 ?

◆ 電流内の電子の動く速さ v 相対論的効果率 Γ(v/c)

『電流内の電子の動く速さ』 2015/8

■ 銅の数密度 n=8.4*Ten(28) 銅線の断面積 Ten(-2)_mm^2=Ten(-8)_m^2

電流 1_A 電流内の電子の動く速さ v=7.4_mm/sec ※ 全体としての速さ(ドリフト)

■ v=1_cm=Ten(-2)_m としよう

 (v/c)^2={Ten(-2)/[3*Ten(8)]}~Ten(-21)

 Γ(v/c)=1/root[1-Ten(-21)]=1+5*Ten(-22) 

『電流内の電子の動く速さ』 2015/8

■ 銅の数密度 n=8.4*Ten(28) 銅線の断面積 Ten(-2)_mm^2=Ten(-8)_m^2

電流 1_A 電流内の電子の動く速さ v=7.4_mm/sec ※ 全体としての速さ(ドリフト)

電流内の電子の相対論的効果率の目安 Γ(v/c)=1+5*Ten(-22)

お勉強しよう 2018-2011 Yuji Watanabe ☆

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