☆ 動く直線電荷が作る電磁場 ☆ |
◎ 等速直線運動をする直線電荷が作る電磁場 ★_ |
◇ ベクトル <A> 内積 * 外積 # 10^x=Ten(x) 微分
;x 時間微分
' 積分 $
デカルト座標単位ベクトル
<x>,<y>,<z> |
◇ \3=2.99792458{定義値} 光速 c=\3*Ten(8)_m/sec
◇ 速度(対光速比) <b> 相対論的効果率 Γ(b)=1/root(1-b^2) 時間(光速倍) tc
◇ 電磁気.国際単位系 真空の誘電率
ε0=Ten(7)/(4Pi*c^2) ◇ 1_eV=\e*Ten(-19)_J |
〓 電磁場のローレンツ変換 〓 ◆ 2つの慣性系 x系,X系 X系はx系に対してx軸方向に速さ(対光速比) b. で等速直線運動 <b.>=<x>*b.
X系で 観測点
(X,Y,Z) 観測時刻(光速倍) Tc x系で同様に (x,y,z) tc <E>=<Ex Ey Ez> <cB>=<cBx cBy cBz> ■ x=Γ(b.)*X+Γ(b.)*b.*Tc tc=Γ(b.)*Tc+Γ(b.)*b.*X y=Y z=Z Ex=EKx Ey=Γ(b.)*EKy+Γ(b.)*b.*cBKz Ez=Γ(b.)*EKz-Γ(b.)*b.*cBKy cBx=cBKx cBy=Γ(b.)*cBKy-Γ(b.)*b.*EKz cBz=Γ(b.)*cBKz+Γ(b.)*b.*EKy ■ <cB>=0 のとき <E>=<EKx Γ(b.)*EKy Γ(b.)*EKz> <cB>=<0 -Γ(b.)*b.*EKz Γ(b.)*b.*EKy>=(<x>*b.)#<E>=<b.>#<E> |
〓 等速直線運動する直線電荷 〓 . ◆ 2つの慣性系 X系,x系 X系のx系に対する速度(対光速比) <b.>=<x>*b. x軸上に一様な直線電荷 X系で静止 電荷線密度 λ0 観測点 (0,y,0)〔 y>0 〕 観測点における電磁場 X系で <EK>,<cBK> x系で <E>,<cB> ■ <EK>=<y>*2*ke*λ0/y <cBK>=0 <E>=<y>*Γ(b.)*2*ke*λ0/y
<cB> ■ 対称性から、次のように言い換える事ができる。 円柱座標(r.,a,z) z軸上に一様な直線電荷 z軸方向に等速直線運動 速さ(対光速比) b 静止しているときの電荷線密度 λ0 それが作る電磁場 <E>,<cB> <E>=<r.u>*Γ(b)*2*ke*λ0/r. <cB>=<au>*Γ(b)*b*2*ke*λ0/r. ★_ ■ 動いているときの電荷線密度 λ=Γ(b)*λ0 であるから、 <E>=<r.u>*2*ke*λ/r. <cB>=<au>*b*2*ke*λ/r. ★_ |
〓 等速直線運動する直線電荷 〓 . ◆ 円柱座標(r.,a,z) z軸上に一様な直線電荷 z軸方向に等速直線運動 速さ(対光速比) b 電荷線密度 静止しているとき λ0 動いているとき λ=Γ(b)*λ0 それが作る電磁場 <E>,<cB> ■ <E>=<r.u>*Γ(b)*2*ke*λ0/r.=<r.u>*2*ke*λ/r. <cB>=<au>*Γ(b)*b*2*ke*λ0/r.=<au>*b*2*ke*λ/r.=<au>*b*|<E>| |
〓 等速直線運動する直線電荷 〓 . ◆ 円柱座標(r,a,x) x軸上に一様な直線電荷 x軸方向に等速直線運動 速さ(対光速比) b 静止しているときの電荷線密度 λ0 それが作る電磁場 <E(r)>,<B(r)> <cB>=<b>#<E> ★_ ■ <E>=<ru>*2*ke*Γ(b)*λ0/r ★_ ■ <cB>=<b>#<E> ∝ <xu>#<ru> ここで <xu>#<ru>=<au> だから、 <cB>=<au>*2*ke*Γ(b)*b*λ0/r ★_ |
〓 等速直線運動する直線電荷 〓 . ◆ 円柱座標(r,a,x) x軸上に一様な直線電荷 x軸方向に等速直線運動 速さ(対光速比) b 静止しているときの電荷線密度 λ0 それが作る電磁場 <E(r)>,<B(r)> <cB>=<b>#<E> ★_ ■ <E>=<ru>*2*ke*Γ(b)*λ0/r ★_ ■ <cB>=<b>#<E> ∝ <xu>#<ru> ここで <xu>#<ru>=<au> だから、 <cB>=<au>*2*ke*Γ(b)*b*λ0/r ★_ |
〓 等速直線運動する直線電荷が磁場から受ける力 〓 . ◎ 一様な磁場で等速直線運動をする直線電荷が受ける力 ◆ 円柱座標(r,a,x) x軸上に一様な直線電荷 x軸方向に等速直線運動 速さ(対光速比) b 静止しているときの電荷線密度 λ0 電荷1個の電荷 q 数線密度=電荷線密度/q 一様な外部磁場 <Bex> 電荷1個が磁場から受ける力 <f> 直線電荷が受ける力(単位長さ当たり) <@F> ■ <f>=q*(<xu>*c*b)#<Bex>=q*c*<b>#<Bex> <@F> ≫ <@F>=c*λ0*Γ(b)*<b>#<Bex> ★_ |
〓 {計算例}等速直線運動する直線電荷 〓 . ◆ 直線電荷 静止しているときの電荷線密度 λ0 λ0=[4.803*Ten(-10)]*[5*Ten(8)]/4~0.06_esu/cm 速さ(対光速比) b=0.9 Γ(0.9)=2.294 r=0.005_cm ■ 静止しているとき E0=2*1*0.06/0.005=24_静電ボルト/cm 動いているとき E=24*2.294~55_静電ボルト/cm ◆ 直線電荷 I=5*Ten(-8)_A=150_esu/sec r=1_cm Γ(b)=20 b~1 ■ E=2*1*150/[3*Ten(10)*1*1]=1*Ten(-8)_静電ボルト/cm 電荷数線密度=150/{[3*Ten(10)]*1*[4.803*Ten(-10)]}=10.4_個/cm 電荷平均距離=1/10.4~0.1_cm/個 静止しているとき E0=1*Ten(-8)/20=5*Ten(-10)_静電ボルト/cm 電荷数線密度=10.4/20~0.5_個/cm 電荷平均距離=0.1*20~2_cm/個 |
〓 陽子流が作る電磁場 〓 . ◆ 陽子流 陽子1個の質量(光速の2乗倍) @m 速さ(対光速比) b 運動エネルギー K 総エネルギー E 運動量(光速倍) pc 素電荷 e 電流 I 粒子数の数密度 n 陽子流が距離 r の所に作る電磁場 E(r),B(r) ■ I=e*(c*b)*n=c*e*n*b ここで I/(c*b)=e*n=Γ(b)*λ0 に相当するから、 E=2*[ke/(c*b)]*I/r & B=2*(ke/c^2)*I/r & E*b=c*B ★_ CGS静電単位系 E=2*[1/(c*b)]*I/r & Bcgs=2*(1/c)*I/r & E*b=Bcgs ★ 「バークレー物理学コース.電磁気」 p317 問題6.29 陽子流 @m=938_MeV~1_GeV 速さ(対光速比)
b 運動エネルギー K=2_GeV 総エネルギー E=3_GeV 運動量(光速倍)
pc 電流 I=1_mA pc^2=E^2-@m^2=9-1=8 pc=2*root2~2.828_GeV b=pc/E=2.828/3~0.943 B=2*(ke/c^2)*I/r=2*Ten(-7)*Ten(-3)/Ten(-2)=2*Ten(-8)_T E=B*c/b=[2*Ten(-8)]*[3*Ten(8)]/0.943~6.36_V/m Bcgs=2*Ten(-4)_G E=2*Ten(-4)/0.943~2.12*Ten(-4)_静電ボルト/cm 陽子と共に動く系で陽子流が距離 r の所に作る電磁場 EK(r),BK(r) EK(r)=E/Γ(b) BK(r)=0 ここで Γ(b)=E/@m=3 EK(r)=6.36/3=2.12_V/m CGS静電単位系 EK=[2.12*Ten(-4)]/3=0.71*Ten(-4)_静電ボルト/cm |
〓 ベクトルポテンシャル.等速直線運動する直線電荷 〓 . ◎ 直線電荷が作る電磁ポテンシャルをローレンツ変換して、電流が作るベクトルポテンシャルを求める。 ● 直線電流(x軸方向に流れる)が作るベクトルポテンシャル Ax=-[μ0/(4Pi)]*2*I*ln(r)〔★〕 ● 静止している直線電荷 電荷(線)密度 λ 直線と観測点の距離 r φ=-[1/(4Pi*ε0)]*2*λ*ln(r) <A>=0 ◆ x系で x軸方向に、速さ v. で動く直線電荷 電荷(線)密度 \λ X系 電荷と共に動く ■ X系 で \φ(R)=-[1/(4Pi*ε0)]*2*λ*ln(R) <A>=0 R=r x系で λ=Γ(v.)*\λ 電流 I=λ*v.=Γ*v.*\λ φ Ax Ay=Az=0 {うまくできてしまった!2013/7} |
☆ お勉強しよう 2018-2011 Yuji Watanabe ☆ |