☆ 円環電荷 ☆ |
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◎ 円環 円 電場 電位 ★_ |
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ベクトル <A> 内積 * 外積 # 10^x=Ten(x) 微分
;x 時間微分
' 積分 $
デカルト座標単位ベクトル
<xu>,<yu>,<zu> |
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\3=2.99792458{定義値} 光速 c=\3*Ten(8)_m/sec
\e=1.6021766208 素電荷
qe=\e*Ten(-19)_C 1_eV=\e*Ten(-19)_J
CGS静電単位系 ke=1 <Bcgs>=c*<B> <Acgs>=c*<A> |
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〓 円環電荷の中心軸の電場 〓 . .★ 円周上に電荷がある 中心軸上に作る電位、電場 ◆ 円柱座標 (h,a,z)_C <Ah Aa Az>_C 座標単位ベクトル <hu>,<au>,<zu> xy平面に円環電荷 半径 R 中心:原点 電荷線密度 λ=一定 全電荷 Q=2Pi*R*λ 観測点:(0,0,z)_C〔 z≧0 〕 電位 φ(h,z) ■ 対称性より、電場も電位もz成分しかない。 微小部分 a~a+da による電場のz成分 dE(z)
dE E <E>=<zu>*ke*Q*z/(z^2+R^2)^(3/2) ★_ ■ 微小部分 a~a+da による電位 dφ=ke*(λ*R*da)/root(z^2+R^2)
φ ※ 無限遠を基準点にして φ(∞)=0 積分定数=0 {確かめ} <E> ■ 円環の中心で z=0 <E>=0 & φ=ke*Q/R |
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〓 円環電荷の電位 〓 . ◆ 円柱座標 (h,a,z)_C <Ah Aa Az>_C 座標単位ベクトル <hu>,<au>,<zu> xy平面に円環電荷 半径 R 中心:原点 電荷線密度 λ=一定 全電荷 Q=2Pi*R*λ 観測点:(h,0,z)_C〔 z≧0 〕 電場 <E>=<zu>*E(z) 電位 φ(z) ■ 対称性より、電場も電位もz成分しかない。 微小部分 a~a+da による電場のz成分 dE(z)
dE E <E>=<zu>*ke*Q*z/(z^2+R^2)^(3/2) ★_ ■ 微小部分 a~a+da による電位 dφ=ke*(λ*R*da)/root(z^2+R^2)
φ ※ 無限遠を基準点にして φ(∞)=0 積分定数=0 {確かめ} <E> ■ 円環の中心で z=0 <E>=0 & φ=ke*Q/R |
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〓 円環電荷の電場 〓 . ◆ 円柱座標(h,a,z) 座標単位ベクトル <hu>,<a>,<zu> xy平面に円環電荷 半径 R 中心:原点 電荷線密度 λ=一定 全電荷 Q=2Pi*R*λ 観測点:(0,0,z)〔 z≧0 〕 電場 <E> 電位 φ ■ <E>=<zu>*2Pi*ke*λ*(z/R^2)/[1+(z/R)^2]^(3/2) φ=2Pi*ke*λ/root[1+(z/R)^2] |
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〓 電場の大きさ 〓 . ◆ z/R=s f(s)=s/(s^2+1)^(3/2) と置けば、 <E>=<zu>*ke*(Q/R^2)*f(s)
=1/(s^2+1)^(3/2)-s*(3/2)*2*s/(s^2+1)^(5/2) =[(s^2+1)-3*s^2]/(s^2+1)^(5/2) =(1-2*s^2)/(s^2+1)^(5/2) f(s);s=0 の解 s=root2/2~0.707 このとき、 (s^2+1)^(3/2)=(3/2)^(3/2)=3*root3/(2*root2) 最大値 f(s)=(root2/2)/[3*root3/(2*root2)]=2*root3/9~0.38 ★_ ■ 電場の大きさは z/R=root/2 のとき、 最大値 Emax=2*(root3/9)*ke*(Q/R^2)~0.38*ke*(Q/R^2) |
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☆ お勉強しよう 2018-2011 Yuji Watanabe ☆ |